RIE反應離子刻蝕機是微納加工核心干法刻蝕設備，通過等離子體物理轟擊、化學反應協同實現材料的各向異性、高精度、高選擇比刻蝕，廣泛用于半導體、MEMS、光電子、化合物半導體等領域。
工作原理：
等離子體生成：在真空腔室內，通過高頻電場激發刻蝕氣體，形成包含離子、電子和自由基的等離子體。
物理與化學協同作用：
物理轟擊：高能離子在電場作用下垂直轟擊材料表面，破壞原子結構并去除反應產物。
化學反應：自由基與材料表面發生反應，生成揮發性產物，實現刻蝕。
各向異性刻蝕：離子轟擊的定向性使刻蝕主要沿垂直方向進行，橫向刻蝕較小，適合制造高深寬比結構。
RIE反應離子刻蝕機的優勢：
高精度：可實現納米級刻蝕，滿足半導體器件微型化需求。
高選擇性：通過調整氣體配方，精確刻蝕目標材料而不損傷相鄰層。
高效率：刻蝕速率可達快，且工藝穩定性高，適合批量生產。
靈活性：支持多種材料刻蝕，包括硅、金屬、化合物半導體及聚合物等。
工藝可控性：通過調節功率、氣壓、氣體流量等參數，優化刻蝕速率、選擇比和側壁形貌。
地址：北京市豐臺區科興路7號國際企業孵化中心301室
郵箱：cif_lab@163.com
傳真：86-010-63752028